韦德娱乐,韦德1946,韦德娱乐官网

新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > MSP430FR59x:超低功耗嵌入FRAM MCU开发方案

MSP430FR59x:超低功耗嵌入FRAM MCU开发方案

作者:时间:2018-09-03来源:网络

  TI公司的MSP430FR59x系列是超低功耗(ULP)嵌入FRAM的MCU,16位RISC架构高达16MHz时钟,工作电压1.8V~3.6V,多达64kB非易失存储器工作模式功耗约为100 µA/MHz,待机模式功耗为0.4µA,关断时功耗为0.02µA。器件主要用在仪表、能量收获传感器节点、可穿戴电子、传感器管理和数据记录应用中。

本文引用地址:/article/201809/388249.htm

  MSP430超低功耗(ULP)的FRAM平台,结合了独特的嵌入式FRAM,和整体的超低功耗系统架构,使得创新者可以在降低能耗的同时提高性能。 FRAM技术结合了速度、灵活性、耐久性、SRAM的稳定性和闪存可靠性,并且,大大降低了功耗。

  MSP430的超低功耗FRAM产品,包括了FRAM的各种应用设备,配备了超低功耗16位MSP430单片机CPU,和智能外设多样化的应用。其超低功耗架构展示了7种低功耗模式,并进行优化,以延长电池使用寿命,应对能源挑战。

  

  图1 MSP430FR59x系列功能框图

  MSP430FR59x主要特性

  •嵌入式微控制器

  -16位RISC架构高达16MHz的时钟

  •宽电源电压范围(1.8V~3.6V)

  •优化的超低功耗模式

  -主动模式:约100μA/MHz

  -待机(LPM3,以及VLO):0.4μA(典型值)

  -实时时钟(LPM3.5):0.25μA(典型值)

  -关机(LPM4.5):0.02μA(典型值)

  •超低功耗铁电存储器(FRAM)

  -最高64kB非易失性存储器

  •超低功耗写入

  -快速写入,每字125ns(64kB in 4ms)

  -统一内存=程序+数据+存储在一个单一的空间

  - 1015写周期耐力

  

  图2 评估模块MSP-EXP430FR5969功能分布图

  •耐辐射和非磁性

  •智能数字外设

  - 32位硬件乘法器(MPY)

  -三通道内部DMA

  •实时时钟(RTC),日历和闹钟功能

  - 5个16位定时器,多达七个捕捉/比较寄存器(每个)

  - 16位循环冗余检查(CRC)

  •高性能模拟

  - 16通道模拟比较器

  - 12位模数转换器(ADC),带有内部参考和多达16个采样保持器

  •外部输入通道

  -多功能输入/输出端口

  -所有的引脚支持电容式触摸功能,无需外部元件

  -可接入位,字节和字为单位(成对)

  •边缘可选唤醒(所有端口的LPM)

  

  图3 评估模块MSP-EXP430FR5969电路图(1)

上一页 1 2 下一页

关键词:

评论

技术专区

关闭