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国内厂商在存储行业紧锣密鼓,有望实现“弯道超车”

作者:时间:2018-10-29来源:OFweek电子工程网
编者按:中国存储器产业起步较晚,我国作为全球最重要的存储器市场,在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下,通过自主研发关键技术与引入半导体巨头,有望实现存储器产业的“弯道超车”,在全球竞争中占有一席之地。

  相信所有人对“”这个名词一点都不陌生,因为所有的电子产品都必须用到,且通常用到不只一种,说它是一种“战略物资”也不为过。

本文引用地址:/article/201810/393496.htm

  存储器:

  存储器是计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。计算机中的全部信息,包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中,它根据控制器指定的位置存入和取出信息。存储器是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备,有了存储器,计算机才有记忆功能,才能保证正常工作。随着移动设备、物联网应用的兴起,对于节能的数据储存与内存技术需求日益增加,目前的内存技术以闪存为主流。

  ,即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间,为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。

  闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,这在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品。NAND闪存是一种非易失性存储技术,即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。


国内厂商在存储行业紧锣密鼓,有望实现“弯道超车”


  韩国是全球存储芯片市场的主流厂商

  市场对DRAM和NAND的需求很多,包括来自数据中心、移动电话、个人计算机、汽车、智能家电及智能城市等庞大需求。而全球主要内存芯片供货商的门坎很高,哪怕经历了几十年的起伏,市场也一直被三星、SK海力士等厂商主导,并已经形成垄断局面。

  有调查数据显示,截至今年第三季度,韩国芯片巨头三星在DRAM和NAND闪存市场继续保持着统治优势,这主要是因为韩国本土券商集体看好芯片业务给三星电子业绩带来的推动作用。

  报告显示,按照营收计算,三星电子第三季度占据了全球DRAM内存芯片市场44.5%的份额;另一家韩国厂商SK海力士紧随其后,市场份额达到27.9%。美国存储芯片制造商美光科技在该榜单中位居第三,市场份额达到22.9%;中国台湾的南亚科技位居第四,市场份额为2.2%。

  虽然全球芯片市场将在不久后失去热度,但随着带有人工智能和物联网技术产品的不断上市,预计存储芯片市场的需求仍将会继续上涨。与中国芯片制造商相比,韩国的三星电子和SK海力士仍在不断提升技术竞争优势,上述两家公司在未来仍将是全球存储芯片市场的主流厂商。

  存储器产业走寒,遭遇困境

  随着近两年内存芯片业务的迅猛发展,已逐步呈现“衰落”之势,因NAND闪存芯片价格自2017年第四季已开始反转,且DRAM内存芯片在2018年首季之后的供需动态能见度已经下滑。2017年DRAM价格上涨超过四成,同期NAND的价格涨幅也近四成。NAND的主要市场为PC机内存和手机内存,DRAM需求逐渐趋缓,库存、定价压力与日俱增,而NAND闪存供过于求,价格将进一步走低。

  今年第一和第二季度,DRAM依然持上涨之势,三星、SK海力士和美光等厂商也都先后宣布了扩产计划。但最近局面似乎有所转变,存储器价格走低,一方面是PC、移动设备和数据中心这三大应用产品的需求动能在过去几周明显趋缓,这恐怕会让第三季度报价一路走低。另一方面,由于需求降温的关系,三星电子、SK 海力士的库存也在增加。表现在DRAM层面,由于三星、SK海力士增产的影响,预估2018年、2019年的DRAM供给量将分别上扬20%、20-25%。这将为市场带来压力,而需求也将相对收缩,外资相继调降美光目标价。

  NAND遭遇了同样困境。根据下半年智能手机市场出货表现将相对疲弱,NAND闪存的供给过剩情况将日益恶化。因而有业内人士分析称2019年上半年NAND价格将重挫,目前的存储定价周期与2014年末到2015年初情况相似,当时也出现存储器需求大跌的状况。

  三星、海力士发力,价格战一触即发

  近日,有韩媒指出,今年第一季三星电子和SK海力士(SK Hynix)的半导体库存双双创下新高,满坑满谷的记忆体卖不动,三星或许因此杀红了眼。

  今年Q1季末,三星电子的半导体库存达7.4万亿韩元,写下同季历史新高。SK海力士的半导体库存为2.2万亿韩元,更创下该公司史上之最。一般而言,企业都赶在新年之前尽量消化库存,Q4应是出货旺季,但Q4库存增加速度之快,几乎前所未见。

  三星半导体库存连年提高,近来更急速成长。今年Q1超越7万亿韩元,和去年同期相比,Q1库存飙升了1.7万亿韩元。主要原因应是记忆体买气骤减,Q1三星记忆体部门营收年减3,700万亿韩元。

  与此同时,常理上SK海力士的库存大都在1.5万亿韩元以下,不料去年年底突然暴增至1.9万亿韩元,今年Q1又一举突破2万亿韩元。SK海力士的库存资产占总资产比重一路攀升,库存爆满,其主要问题是记忆体前景欠佳,需求仍淡,业者可能会启动更激烈的杀价战,出清库存。

  记忆体业凄惨,又有新技术出来抢市场,前景更为黯淡。日前,有媒体报导,“相变化记忆体”因成本太高,智慧机等行动装置无法采纳,过去15年来一直应用在光碟片等科技产品。然而,IBM现在不但降低了成本,还想出新的方法,可在每个记忆单位中储存3位元资讯、即使周遭温度较高也毫无障碍,未来可能会让记忆体领域出现巨变。

  三星趁着对手SK海力士、美光转进20奈米不顺之际,增产抢市占,意图赶尽杀绝,DRAM恐怕只剩三星一家独活。

  韩媒在4月网站两篇报导指出,制程微缩难度高,美光和SK海力士都在20nm遇到瓶颈,原先预期记忆体产出将因此大减,没想到三星在一旁虎视眈眈,趁着对手碰壁时,夺取市占。DRAM仅剩三大厂,通常产业整合后,大家会较为节制,结果三星非但没松手,还想把DRAM市占从当前的40%、提高至近50%。

  国产存储器加紧布局,有望实现“弯道超车”

  这是一个得存储器者得天下的时代。存储器被普遍称为“半导体产业的皇冠”。如今正成为手机、电脑等产品硬件配置升级的重要卖点。同时,涨价侵蚀着原本竞争激烈、利润微薄的智能手机产业,一路打价格战的智能手机企业横迎来史上首次涨价潮。

  存储器涨价从2016年下半年开始,到2017年DRAM价格涨幅将达到39%,NAND涨幅也将达到25%。这是由于需求增长和供给收缩。主要由于以三星、海力士为代表的企业正投入一场存储器创新竞赛,将2DNANDFlash转移至三维闪存3DNANDFlash的技术革命,以及国产品牌手机出货量持续增长,新一代iPhone产品推出,存储器产能正被大量消耗导致产能增长放缓。

  国内存储器目前主要依靠进口,根据数据,我国每年进口的存储器金额约为600亿美元。为此,国家下定决心发展存储器产业。在这样的格局中,国家已经下定决心发展存储器产业,通过自主研发关键技术与引入半导体巨头。

  国产存储器正在南京、武汉、晋江三地建构着三足鼎立之势,2016年7月,紫光控股、国家集成电路产业投资基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业(有限合伙)和湖北省科技投资集团共同出资240亿美元成立了长江存储。长江存储主要从事3DNANDFlash的芯片与制造,旗下拥有全资子公司武汉新芯。武汉新芯成立于2006年,2008年开始量产,拥有12英寸集成电路技术研发与生产制造能力,其闪存与影像传感器制造技术位居世界前列,并且布局了物联网领域,同时从事SOC、三维集成、MCU平台等工艺技术的研发与生产。

  在全球存储器产业的关键时刻,不知中国企业能够也能开拓出一片属于自己的市场。中国存储器产业起步较晚,我国作为全球最重要的存储器市场,在国家产业政策扶持以及大量资本投入的背景下,通过自主研发关键技术与引入半导体巨头,有望实现存储器产业的“弯道超车”,在全球竞争中占有一席之地。




关键词: DRAM NAND 存储器

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