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中天弘宇:攻克核心设计缺陷 重建NOR闪存新生

作者:lij时间:2018-12-14来源:EEPW

闪存是当今数据存储的重要介质之一,主流的闪存体系有两种。不过随着半导体工艺不断发展,相比于技术的快速演进,技术似乎在几年前工艺就迟滞不前,因为存在部分设计缺陷而让闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。经过中天弘宇集成电路有限公司的潜心研发,NOR闪存的应用也许将重获新生。 

本文引用地址:/article/201812/395621.htm

“我们经过了近十年的研发积累,完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新,也可以说是一个完全的颠覆。我们沿用了整个NOR的架构,但和英特尔最早发明的NOR完全不是一回事,我们有自己完整的知识产权和专利体系。” 中天弘宇集成电路有限公司执行董事长赵泾生先生的开场白显得非常自豪,“我们对NOR闪存架构设计进行了全新的改进,从而克服了固有的设计缺陷,这点连Intel都非常震惊,通过我们的架构设计完全可以让NOR闪存进入到65nm甚至28nm以下的工艺。” 

相比于更适合大容量应用的闪存,NOR闪存的读取速度要快得多,非常适合芯片内的存储应用,但限于工艺制程,NOR闪存的应用市场比起千亿级的NAND闪存要小得多,很多芯片内还在采用DRAM+NAND的方式代替。中天弘宇的技术突破将让NOR闪存变得更具竞争力,通过取代DRAM+NAND的方式可以为芯片带来更高读取速度和更低的内存读取功耗,而后者现在已经成为芯片整体功耗中非常关键的一环。难怪赵泾生先生感叹,“通过解决了寿命和工艺两大问题,摆在我们面前的将是千亿美元规模的未来的NOR市场!” 

如此具有突破意义的技术创新将会带来哪些产品的创新赵泾生先生介绍中天弘宇目前主要的工作有两个方面,一个是继续优化NOR